場發(fā)射掃描電鏡

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更新日期：2025-09-10
產(chǎn)品介紹：Quattro場發(fā)射掃描電鏡的場發(fā)射電子槍（FEG）確保了優(yōu)異的分辨率，通過不同的探測器選項，可以調(diào)節(jié)不同襯度信息，包括定向背散射、STEM和陰極熒光信息。
廠商性質(zhì)：代理商

產(chǎn)品介紹

品牌	FEI/賽默飛	產(chǎn)地類別	進口
價格區(qū)間	面議	儀器種類	場發(fā)射
應用領(lǐng)域	化工,石油

場發(fā)射掃描電鏡Quattro SEM特點與用途：

在自然狀態(tài)下對材料進行預案為研究，具有環(huán)境真空模式（ESEM）的高分辨率場發(fā)射掃描電鏡；

  縮短樣品制備時間：低真空和環(huán)境真空技術(shù)可針對不導電和/或含水樣品直接成像和分析，樣品表面無荷電累積；
在各種操作模式下分析導電和不導電樣品，同步獲取二次電子像和背散射電子像；
  優(yōu)良的分析性能，樣品倉可同時安裝3三個EDS探測器，其中2個EDS端口分開180°、WDS和共勉EDS/EBSD;
  針對不導電樣品的分析性能：憑借“壓差真空系統(tǒng)"實現(xiàn)低真空模式下的EDS和EBSD分析；
  靈活、準確的優(yōu)中心樣品臺，105°傾斜角度范圍，可多方位觀察樣品；
  軟件直觀、簡便易用，并配置用戶向?qū)Ъ癠ndo（撤銷）功能，操作步驟減少，分析更快速；
全新創(chuàng)新選項，包括可伸縮RGB陰極熒光（CL）探測器、1100℃高真空熱臺和AutoScript。

金屬及合金、斷口、焊點、拋光斷面、磁性及超導材料
陶瓷、復合材料、塑料
薄膜/涂層
地質(zhì)樣品斷面、礦物
軟材料：聚合物、藥物、濾膜、凝膠、生物組織、植物材料
顆粒、多孔材料、纖維
水合/脫水/濕潤/接觸角分析
結(jié)晶/相變
氧化/催化
材料生成
拉伸（伴隨加熱或冷卻）

發(fā)射源：高穩(wěn)定型肖特基場發(fā)射電子槍

分辨率：

型號	Quattro C	Quattro S
高真空
30kV（SE）	1.0nm
1kV（SE）	3.0nm
低真空
30kV（SE）	1.3nm
3kV（SE）	3.0nm
30kV（BSE）	2.5nm
環(huán)境掃描模式
30kV（SE）	1.3nm

放大倍率：6 ~ 2,500,000×
加速電壓范圍：200V ~ 30kV
探針電流范圍：1pA – 200nA，連續(xù)可調(diào)
X-Ray工作距離：10mm，EDS檢出角35°
樣品室：從左至右為340mm寬的大存儲空間，樣品室可拓展接口數(shù)量12個，含能譜儀接口3個（其中2個處于180°對角位置）

樣品臺和樣品：

場發(fā)射掃描電鏡